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氮化硅厂家讲其合成的方法

来源:http://www.hxdhcl.com/news/70.html   发布时间:2015-12-02

    氮化硅厂家讲其合成的方法
    氮化硅合成有一个重要的条件就是温度了,它的温度是需要达到1300-1400°的。使用单质硅和氮气进行合成的氮化硅产品,这样简单的讲是很容易的,下面是我们为大家详细的分析其合成的方法。
     氮化硅合成也可用二亚胺合成或用碳热还原反应在1400-1450°C的氮气气氛下合成:对单质硅的粉末进行渗氮处理的合成方法是在二十世纪50年代随着对氮化硅的重新“发现”而开发出来的。也是第一种用于大量生产氮化硅粉末的方法。但如果使用的硅原料纯度低会使得生产出的氮化硅含有杂质硅酸盐和铁。用二胺分解法合成的氮化硅是无定形态的,需要进一步在1400-1500°C的氮气下做退火处理才能将之转化为晶态粉末,目前二胺分解法在重要性方面是仅次于渗氮法的商品化生产氮化硅的方法。碳热还原反应是制造氮化硅的最简单途径也是工业上制造氮化硅粉末最符合成本效益的手段。
      电子级的氮化硅薄膜是通过化学气相沉积或者等离子体增强化学气相沉积技术制造的;如果要在半导体基材上沉积氮化硅,有两种方法可供使用:氮化硅的晶胞参数与单质硅不同。
    所以因为沉积的方法不一样,那么生产的氮化硅的薄膜也不一样的,并且还会有张力和应力之间的区别,尤其是使用了等离子增强的化学气相沉积的技术的时候,可以通过调节的沉积参数来减少其张力。

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